銘鎵半導體再獲超億元融資 加速氧化鎵產業(yè)化進程

  ICC訊  北京銘鎵半導體有限公司（以下簡稱“銘鎵半導體”）在半導體材料領域再次獲得資本強力加持。近日，公司宣布順利完成A++輪超億元股權融資，本輪融資金額為1.1億元人民幣。此次投資由彭程創(chuàng)投、成都科創(chuàng)投、天鷹資本、國煜基金以及洪泰基金等多家機構共同完成。融資完成后，銘鎵半導體的投后估值達到9.1億元。據統(tǒng)計，自公司成立以來，通過共計五輪融資，累計融資金額已接近4億元人民幣，這充分顯示了投資界對其技術路線和發(fā)展?jié)摿Φ某掷m(xù)看好。

  為正式標志本輪融資圓滿結束，并深化產業(yè)合作，銘鎵半導體于1月20日晚舉行了以“攜手共進·共創(chuàng)未來”為主題的簽約儀式暨慶祝晚宴?；顒釉陧樍x區(qū)經信局及中關村順義園相關領導的見證下進行。儀式上，銘鎵半導體與超過二十家股權投資機構、合作銀行以及產業(yè)鏈上下游的重要企業(yè)進行了集中簽約。這一舉措不僅宣告了本輪融資的成功收官，更象征著公司正在有效整合資本與產業(yè)資源，推動業(yè)務從技術研發(fā)向規(guī)模化、產業(yè)化市場應用扎實轉型。

  根據公司規(guī)劃，本輪所募集的資金將主要用于幾個關鍵方向。首要任務是推進6英寸氧化鎵襯底的核心技術研發(fā)與大規(guī)模量產工作。同時，資金將用于建設2至4英寸氧化鎵襯底的中試產線，為產品迭代和工藝成熟提供支撐。此外，公司還將投入資源用于超寬禁帶半導體未來產業(yè)的培育，并擴大磷化銦多晶產線的生產規(guī)模。這些投入直指提升核心產品產能與技術水平，鞏固市場地位。

  在眾多業(yè)務中，氧化鎵材料的突破尤為關鍵。氧化鎵被國際公認為第四代超寬禁帶半導體的代表性材料，而實現6英寸襯底的制備是該材料走向規(guī)?；髌圃斓闹匾獦酥尽ｃ戞壈雽w在此領域的進展，將顯著加速國內超寬禁帶半導體產業(yè)鏈的完善與規(guī)模擴張，為下游芯片制造和終端應用奠定基礎，對于提升我國在關鍵半導體材料領域的自主供應能力具有戰(zhàn)略意義。為達成產能目標，公司計劃增加20臺套適用于4至6英寸襯底生產的中試設備，預計全部投產后，氧化鎵襯底的年產能可達到3萬片。

  銘鎵半導體成立于2020年11月20日，法定代表人為陳政委。公司專注于新型半導體人工晶體材料的研發(fā)與生產，其主要產品線涵蓋第四代半導體材料氧化鎵、應用于高頻通信領域的磷化銦晶體以及大尺寸摻雜光學晶體。作為國內較早從事氧化鎵材料研發(fā)產業(yè)化的企業(yè)之一，銘鎵半導體同時也是國內少數能生產磷化銦晶體和大尺寸摻雜光學晶體的廠商，整體技術能力達到國際先進水平。

  公司總部設立于北京市順義區(qū)，并在河南省安陽市、山東省濟南市和廣東省深圳市設立了全資子公司。為了更好服務市場，公司在浙江義烏、上海、廣州、江西南昌等地設立了業(yè)務辦事處，形成了輻射全國的研發(fā)、生產與銷售網絡。銘鎵半導體擁有一支近100人的國際化團隊，核心成員背景雄厚，既包括來自日本國立佐賀大學、東京大學、清華大學、九州大學、中國科學院等頂尖學術機構的博士研發(fā)人員，也匯聚了來自博藍特、露笑科技、有研材料、中芯國際、美國通美等知名企業(yè)及科研院所、擁有十余年豐富經驗的產業(yè)技術專家。

  回顧融資歷程，在本次A++輪之前，銘鎵半導體已獲得了洪泰基金、華控基金、英諾天使基金、之路資本、允泰基金、分享投資等眾多知名投資機構的支持。公司展現出高成長性、高附加值的特征。目前，銘鎵半導體已全面進入量產階段，擁有超過30000平方米的生產線，致力于為全球客戶提供高質量的半導體材料與技術服務。

  在市場表現方面，銘鎵半導體在2025年實現了年度產值3000萬元，營業(yè)收入2500萬元。公司預計，隨著新技術產能的釋放和市場拓展，2026年其產值和營業(yè)收入均有望突破1億元大關。

  銘鎵半導體將其長期發(fā)展對標行業(yè)標桿“國瓷材料”和“日本京瓷”，堅持以半導體材料技術為核心，以突破關鍵領域技術瓶頸、實現國產化替代為使命。此次獲得超億元融資，將為這家處于快速成長期的科技企業(yè)注入新的動能，有望進一步推動我國在超寬禁帶半導體這一前沿戰(zhàn)略材料領域的創(chuàng)新與發(fā)展。