專訪米硅科技羅剛：深耕高速光通信芯片 全球首推6G前傳CDR模擬方案

  ICC訊  2025年9月10日，CIOE 中國光博會于深圳正式開幕，高端光通信芯片代表廠商上海米硅科技有限公司（簡稱“米硅科技”或“公司”）攜一系列面向高速光通信領域的先進產品和解決方案亮相展會（展位號12D53）。展會期間，米硅科技總經理羅剛先生應邀接受訊石光通訊網采訪，分享了米硅科技的最新技術進展與戰(zhàn)略布局。

  高速互聯(lián)與光接入芯片研發(fā)取得關鍵進展

  羅總在采訪中表示，米硅科技正在全力推進高速CDR技術和50G PON光接入芯片的研發(fā)。在高速SerDes領域，公司研發(fā)的四通道及兩通道收發(fā)合一CDR芯片支持單波112G傳輸速率，主要應用于AOC和AEC等場景，預計2025年底向客戶提供樣品。在光接入網領域，公司重點開發(fā)非對稱50G PON架構芯片，涵蓋OLT側50G NRZ發(fā)射和25G突發(fā)模式CDR接收功能，同時布局對稱25G PON芯片研發(fā)，預計2026年第二季度送樣。

  榮獲“光電技術創(chuàng)新獎” 米硅112G PAM4 CDR芯片備受矚目

  在展會首日，米硅科技重點展示的4×112 Gbps PAM4 CDR TxRx全系列芯片，憑借其卓越的性能指標與顯著的創(chuàng)新價值，榮獲大會組委會頒發(fā)的“光電技術創(chuàng)新獎”。該系列芯片憑借優(yōu)異的信號完整性、多通道協(xié)同性能及先進的功耗控制，展現出企業(yè)在高速光互聯(lián)核心芯片設計領域的扎實技術積累與創(chuàng)新突破。

  此次獲獎，反映出行業(yè)對國產高端光通信芯片研發(fā)進展的積極認可。米硅科技表示，這一成績離不開客戶與合作伙伴長期的支持與信任，公司將秉持“技術驅動、創(chuàng)新為本”的理念，繼續(xù)聚焦于高速互連領域，堅持技術自研與協(xié)同創(chuàng)新，為產行業(yè)提供更多高性能、高可靠性的芯片解決方案。

  突破性6G前傳技術 全球首推CDR模擬方案

  在6G前傳這一前沿賽道，米硅科技正致力于將模擬CDR技術拓展至該領域。與業(yè)界普遍采用DSP方案不同，米硅希望通過純模擬電路實現112G收發(fā)通道，打造全球首款基于模擬CDR架構的6G前傳芯片。

  然而，在追求更高性能的道路上仍存在顯著挑戰(zhàn)。隨著AI算力網絡對數據傳輸速率的要求不斷向單波200G甚至400G邁進，DSP方案憑借其先天的制程工藝（從7nm、5nm到3nm）展現出顯著的性能擴展優(yōu)勢。模擬電路雖然同樣受益于工藝進步，但其性能突破更依賴于電路設計和結構的創(chuàng)新。

  盡管面臨挑戰(zhàn)，模擬方案依舊具有DSP難以比擬的獨特優(yōu)勢：功耗顯著降低、實現零傳輸延遲、無需外部時鐘以及更低的整體成本。米硅科技相信，隨著模擬CDR技術在高速連接性能上的持續(xù)突破，未來必將能夠提供超越DSP方案的高性價比解決方案，為AI算力網絡和6G前傳等場景帶來更優(yōu)選擇。

  成熟工藝與嚴謹設計協(xié)同發(fā)力 打造全系列國產解決方案

  為滿足AI算力場景對高速光連接的苛刻要求，米硅科技在工藝選擇和設計流程兩大方面共同發(fā)力，全面提升產品可靠性。在制造層面，公司采用成熟穩(wěn)定的BiCMOS工藝，確保芯片具備良好的寬溫工作適應性和工藝一致性。在設計階段，米硅貫徹嚴格的設計規(guī)范和可靠性驗證機制，從前端徹底排查潛在不穩(wěn)定因素，從而保障芯片在實際應用中的高性能與長期穩(wěn)定運行。

  羅總表示，后續(xù)米硅將繼續(xù)加大研發(fā)力度，致力于打造全系列國產光通信芯片解決方案。公司將持續(xù)深耕高速互聯(lián)、光接入和6G前傳等領域，助力國內5G-A、AI算力及未來6G網絡基礎設施的建設與發(fā)展，為打破國外技術壟斷、提供更高性價比的國產化芯片選擇做出積極貢獻。