國盛證券：下游高速光模塊需求爆發(fā) 隔離器用量與價值量凸顯

  ICC訊 國盛證券發(fā)布研報稱，在全球光模塊產業(yè)向800G/1.6T升級的浪潮中，光隔離器作為保護激光器的關鍵組件，因上游核心材料法拉第旋光片的全球性短缺，已成為制約產能的“卡脖子”環(huán)節(jié)。該材料技術壁壘極高，生產由美國、日本少數(shù)廠商壟斷，而高速光模塊需求爆發(fā)，單模塊隔離器用量隨通道數(shù)增加，導致供需嚴重錯配。隔離器在受益于市場需求增加的同時享受漲價邏輯，用量和價值量持續(xù)凸顯，布局此領域企業(yè)有望憑借其稀缺性、充足的產能與技術壁壘構建優(yōu)勢持續(xù)受益。

  國盛證券主要觀點如下：

  隔離器：高速光模塊的必備組件

  光隔離器是光通信系統(tǒng)中的關鍵無源器件，其核心作用為只允許光沿正向傳輸、阻斷反向回波，類似于一個“光學單向閥門”。它允許光信號正向低損耗傳輸，同時對反向傳輸光產生強烈衰減，在光路中非互易地隔離反射光，防止光路中的后向傳輸光(如反射光)對光源(激光器)及光路系統(tǒng)產生不良影響。其工作原理基于法拉第磁光效應，主要由起偏器、法拉第旋光片、檢偏器構成：在外部磁場作用下，通過其核心部件法拉第旋光片的線偏振光，其偏振方向發(fā)生非互易性的固定角度旋轉(通常為45°)，其中反向光偏振方向與起偏器垂直而被阻斷，形成隔離效果。

  光隔離器是高速率光模塊必須組件，通過阻隔光信號反向傳輸，從而保護激光源、放大器等核心器件免受反射光干擾，提升光路系統(tǒng)穩(wěn)定性與可靠性。

  海內海外布局加速，新一輪產能釋放的前夜

  光隔離器的技術壁壘和價值核心高度集中于其上游——法拉第旋光片。該部件的生產難度極大，涉及特殊的晶體生長與精密加工工藝，目前全球供應格局高度集中且緊張。

  法拉第旋光片占光隔離器的成本可達50%，技術壁壘高：法拉第旋光器生產工藝主要是在晶圓襯底上通過液相外延生長(LPE)薄膜磁光晶體，主要的磁光晶體材料包括YIG(釔鐵石榴石)、TGG(鋱鎵石榴石)、RIG(鉍置換稀土類鐵石榴石)單晶體等。SGGG(取代釓鎵石榴石)晶體具有低光學損耗、高導熱性和高激光損傷閾值等優(yōu)點，可作為磁光薄膜的襯底材料。

  法拉第旋光片產業(yè)已形成壟斷格局：光隔離器芯片法拉第旋光片主要由美國高意Coherent(II-VI)、日本GRANOPT(三菱與住友合資)兩家公司壟斷，據深企投研究全球市場份額超過90%。

  國產替代進程：面對嚴峻的供應鏈風險，國內企業(yè)正奮力突破，但整體國產化率仍較低。率先實現(xiàn)法拉第旋光片的自主生產，構建從晶體到器件的全產業(yè)鏈能力的龍頭企業(yè)，將在全球供應鏈緊張時具備顯著的成本優(yōu)勢和供應安全潛力。

  下游高速光模塊需求爆發(fā)，隔離器用量與價值量凸顯

  海外巨頭所需光模塊正逐步向800G/1.6T放量切換，且硅光占比逐步提升，光隔離器用量與價值量凸顯。

  光隔離器在高速光模塊中的用量與光通道數(shù)量相關，隨著高速光模塊需求不斷上修而同步放大。光模塊采用傳統(tǒng)的EML方案或硅光方案，均需要隔離器來防止反射光損壞激光器/CW光源。通常而言一個800G光模塊要用到4-8倍數(shù)量的隔離器，如果光通道數(shù)量增加，使用的隔離器數(shù)量也會相應增加。伴隨未來更大型計算集群建設，光模塊高速率、高帶寬、多通道等發(fā)展趨勢將持續(xù)帶動光隔離器需求起量。

  需求爆發(fā)上游材料短缺格局下，光隔離器價值量凸顯。800G/1.6T光模塊的快速上量在短期內拉動了隔離器需求的急劇增長，而其上游原材料如法拉第旋光片全球供應長期被日、美少數(shù)巨頭壟斷，隔離器產能擴張速度難以匹配需求增速，形成了顯著的供需錯配。因此隔離器在受益于市場需求增加的同時享受漲價邏輯，用量和價值量持續(xù)凸顯。

  在全球光模塊產業(yè)向800G/1.6T升級的浪潮中，光隔離器作為保護激光器的關鍵組件，因上游核心材料法拉第旋光片的全球性短缺，已成為制約產能的“卡脖子”環(huán)節(jié)。該材料技術壁壘極高，生產由美國、日本少數(shù)廠商壟斷，而高速光模塊需求爆發(fā)，單模塊隔離器用量隨通道數(shù)增加，導致供需嚴重錯配。